Theo Bloomberg, một bồi thẩm đoàn liên bang ở Texas đã ủng hộ KAIST IP US - một viện nghiên cứu công nghệ Hàn Quốc có cơ sở tại Mỹ - ngày 15-6 sau khi nhận thấy "Gã khổng lồ" điện tử Hàn Quốc đã vi phạm bằng sáng chế của Mỹ liên quan đến FinFet. FinFet là công nghệ chủ chốt trong sản xuất bộ vi xử lý cho điện thoại di động.
    |
 |
|
Exynos 9 là một trong những chip sử dụng công nghệ FinFET. |
Qualcomm và GlobalFoundries cũng bị phát hiện vi phạm bằng sáng chế nhưng được cho là không bị yêu cầu bồi thường thiệt hại. Samsung, nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới, cho biết đã giúp trường đại học trên thử nghiệm phát triển công nghệ và từ chối vi phạm bằng sáng chế.
Tuy nhiên, bồi thẩm đoàn cho rằng vi phạm của Samsung là "cố ý," đồng nghĩa thẩm phán có thể tăng số tiền bồi thường thiệt hại mà Samsung phải trả lên gấp ba lần số tiền phạt mà bồi thẩm đoàn đưa ra.
Samsung chưa đưa ra bình luận ngay lập tức nhưng trả lời phỏng vấn hãng tin Bloomberg, hãng điện tử Hàn Quốc cho biết họ đang nghiên cứu các lựa chọn để đưa ra quyết định.
"Chúng tôi sẽ xem xét tất cả các tùy chọn để có được một kết quả hợp lý, bao gồm cả một kháng cáo," Samsung cho biết trong một tuyên bố.
Samsung cho biết vào tháng trước, thế hệ chip mới nhất của họ sử dụng công nghệ bị cáo buộc vi phạm bằng sáng chế sẽ là một quy trình 4 nanomet, giúp thu nhỏ các thiết bị điện tử và tăng hiệu suất./.
Theo TTXVN